FQAF12P20
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQAF12P20 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3PF |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 4.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 70W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.6A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQAF1 |
FQAF12P20 Einzelheiten PDF [English] | FQAF12P20 PDF - EN.pdf |
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2024/05/10
2025/01/15
2024/02/22
2024/07/2
FQAF12P20onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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